ФТП, 2007, том 41, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сильная спиновая поляризация электронов в диодной структуре на основе InAs

Я.В.Терентьев, О.Г.Люблинская, А.А.Усикова,
А.А.Торопов, В.А.Соловьев, С.В.Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 21 февраля 2007 г. Принята к печати 7 марта 2007 г.)

Путем измерения циркулярно-поляризованной фотолюминесценции обнаружена высокая степень ориентации спинов электронов в n-области диодной структуры на основе InAs, помещенной в магнитное поле в геометрии Фарадея. Поляризация излучения достигает 90% в поле 2 Тл. В противоположность этому степень поляризации в обычных, без p-n-перехода, слоях InAs не превышает 20% в диапазоне полей до 4 Тл. Эффект связывается с наличием встроенного электрического поля p-n-перехода, которое препятствует локализации неравновесных электронов на мелких донорных центрах и тем самым позволяет ориентировать спины электронов за счет зеемановского расщепления в зоне проводимости.

PACS: 71.70.Ej, 72.25.Mk, 73.40.Kp, 78.55.Cr

 PDF версия (249Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster