ФТП, 2007, том 41, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Нуклеация на боковой поверхности и ее влияние на форму нитевидных нанокристаллов

В.Г.Дубровский *+, Н.В.Сибирев \, \fioГ.Э.Цырлин^ \ast+\scriptscriptstyle\, В.М.Устинов * +, J.C.Harmand

* Научно-образовательный центр \glqq Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН\grqq,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
\_ Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия
^_$ CNRS-LPN, Marcoussis, France

(Получена 10 января 2007 г. Принята к печати 7 февраля 2007 г.)

Предложена теоретическая модель нуклеации на боковой поверхности нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии и других высоковакуумных технологиях осаждения. Получено модельное решение, позволяющее рассчитывать форму нитевидных нанокристаллов в зависимости от значения диффузионного потока адатомов с поверхности подложки к основанию кристаллов. Теоретически исследована температурная зависимость эффекта и показано, что при понижении температуры поверхности нуклеация на боковых стенках приводит к конусообразной форме кристаллов и уменьшению их длины. Проведено качественное сопоставление теоретических результатов с экспериментальными данными по нитевидным нанокристаллам GaAs, выращиваемым методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs(111)B, активированной Au, в интервале температур 400-600oC.

PACS: 61.46.Hk, 68.35.Fx, 68.70.+w, 81.10.Aj

 PDF версия (270Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster