Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2007, выпуск 10 » Статья стр. 1257
<<<>>>
Нуклеация на боковой поверхности и ее влияние на форму нитевидных нанокристаллов
Дубровский В.Г.1,2, Сибирев Н.В., Цырлин Г.Э.1,2, Устинов В.М.1,2, Harmand J.C.
1Научно-образовательный центр "Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.
PDF версия
Предложена теоретическая модель нуклеации на боковой поверхности нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии и других высоковакуумных технологиях осаждения. Получено модельное решение, позволяющее рассчитывать форму нитевидных нанокристаллов в зависимости от значения диффузионного потока адатомов с поверхности подложки к основанию кристаллов. Теоретически исследована температурная зависимость эффекта и показано, что при понижении температуры поверхности нуклеация на боковых стенках приводит к конусообразной форме кристаллов и уменьшению их длины. Проведено качественное сопоставление теоретических результатов с экспериментальными данными по нитевидным нанокристаллам GaAs, выращиваемым методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs(111)B, активированной Au, в интервале температур 400-600oC. PACS: 61.46.Hk, 68.35.Fx, 68.70.+w, 81.10.Aj
  1. A.B. Greytak, L.J. Lauhon, M.S. Gudiksen, C.M. Lieber. Appl. Phys. Lett., 84, 4176 (2004)
  2. M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, T. Sass, A.I. Persson, C. Thelander, M.H. Magnusson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 80, 1058 (2002)
  3. E. Patolsky, G. Zheng, O. Hayden, M. Lakadamyali, X. Zhuang, C.M. Lieber. Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 101, 14 017 (2004)
  4. K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi. J. Appl. Phys., 77, 447 (1995)
  5. J. Johansson, B.A. Wacaser, K.A. Dick, W. Seifert. Nanotechnology, 17, S355 (2006)
  6. L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Gosele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 84, 4968 (2004)
  7. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 205 325 (2005)
  8. J.C. Harmand, G. Patriarche, N. Pere-Laperne, M.-N. Merat-Combes, L. Travers, F. Glas. Appl. Phys. Lett., 87, 203 101 (2005)
  9. R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
  10. Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара (М., Наука, 1977)
  11. T. Bryllet, L.-E. Wernerson, T. Lowgren, L. Samuelson. Nanotechnology, 17, S227 (2006)
  12. Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39 (5), 587 (2005)
  13. M.C. Plante, R.R. LaPierre. J. Cryst. Growth, 286 (2), 394 (2006)
  14. В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Р.А. Сурис, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов, M. Tchernycheva, J.C. Harmand. ФТП, 40 (9), 1103 (2006)
  15. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, J.C. Harmand, V.M. Ustinov. Phys. Rev. E, 73, 021 603 (2006)
  16. И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, А.В. Веретеха, А.Г. Гладышев, В.М. Устинов. ФТТ, 48 (4), 737 (2006)
  17. D. Kashchiev. Nucleation: Basic Theory with Applications (Oxford, Butterworth Heinemann, 2000)
  18. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev. Phys. Rev. E, 70, 031 604 (2004)
  19. M. Tchernycheva, J.C. Harmand, G. Patriarche, L. Travers, G.E. Cirlin. Nanotechnology, 17, 4025 (2006)
  20. В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин. ФТП, 39 (11), 1312 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme