Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствии сурфактанта Sb методом молекулярной эпитаксии

Болховитянов Ю.Б.¹, Дерябин А.С.¹, Гутаковский А.К.¹, Колесников А.В.¹, Соколов Л.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 31 октября 2006 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Пластически релаксированные пленки GeSi с долей Ge, равной 0.29-0.42, и толщиной до 0.5 мкм выращены на подложках Si(001) с использованием низкотемпературного (350^oC) буферного слоя Si и Sb как сурфактанта. Показано, что введение Sb, выглаживающей поверхность пленки на стадии псевдоморфного роста, понижает плотность пронизывающих дислокаций в пластически релаксированной гетероструктуре на 1-1.5 порядка, а также уменьшает финишную шероховатость поверхности. Среднеквадратичная величина шероховатости меньше чем 1 нм была получена для пленки с содержанием Ge 0.29 и с плотностью пронизывающих дислокаций около 10⁶ см^-2. Предполагается, что влияние сурфактанта основано на том, что в присутствии Sb снижается активность поверхностных источников дислокаций. PACS: 61.72.Lk, 68.35.Ct, 68.55.Jk, 81.15.Hi

M.T. Currie, S.B. Samavedam, T.A. Langdo, C.W. Leitz, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett., 72, 1718 (1998)
Y.H. Xie, D. Monroe, E.A. Fitzgerald, P.J. Silverman, F.A. Thiel, G.P. Watson. Appl. Phys. Lett., 63, 2263 (1993)
C.W. Leitz, M.T. Currie, M.L. Lee, Z.-Y. Cheng, D.A. Antoniadis, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 92, 3745 (2002)
H. Chen, L.W. Guo, Q. Cui, Q. Hu, Q. Huang, J.M. Zhou, J. Appl. Phys., 79, 1167 (1996)
K.K. Linder, F.C. Zhang, J.-S. Rieh, P. Bhattacharya, D. Houghton. Appl. Phys. Lett., 70, 3224 (1997)
J.H. Li, C.S. Peng, Y. Wu, D.Y. Dai, J.M. Zhou, Z.H. Mai. Appl. Phys. Lett., 71, 3132 (1997)
Y.H. Luo, J. Wan, R.L. Forrest, J.L. Liu, M.S. Goorsky, K.L. Wang. J. Appl. Phys., 89, 8279 (2001)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys., 96, 7665 (2004)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Thin Sol. Films, 466, 69 (2004)
R. Hull, J.C. Bean, C. Buescher. J. Appl. Phys., 66, 5837 (1989)
E.P. Kvam, D.M. Maher, C.J. Hymphreys. J. Mater. Res., 5, 1900 (1990)
P.M. Mooney, F.K. LeGoues, J. Tersoff, J.O. Chu. J. Appl. Phys., 75, 3968 (1994)
V.I. Vdovin, M.G. Mil'vidskii, T.G. Yugova, K.L. Lyutovich, S.M. Saidov. J. Cryst. Growth, 141, 109 (1994)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth, 280, 309 (2005)
T. Ueno, T. Irisawa, Y. Shiraki. J. Cryst. Growth, 227, 761 (2001)
K.M. Shoukri, Y.M. Haddara, A.P. Knights, P.G. Coleman. Appl. Phys. Lett., 86, 131 923 (2005)
J. Tersoff, F.K. LeGoues. Phys. Rev. Lett., 72, 3570 (1994)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Appl. Phys. Lett., 85, 6140 (2004)
Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, М.А. Ревенко, Л.В. Соколов. ФТП, 40, 324 (2006)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth, 293, 247 (2006)
M. Copel, M.C. Reuter, M. Horn von Hoegen, R.M. Tromp. Phys. Rev. B, 42, 11 682 (1990)
G.G. Jernigan, C.L. Silvestre, M. Fatemi, M.E. Twigg, P.E. Thompson. J. Cryst. Growth, 213, 299 (2000)
A.D. Lambert, B.M. McGregor, R.J.H. Morris, C.P. Parry, D.P. Chu, G.A. Cooke, P.J. Phillips, T.E. Whall, E.H.C. Parker. Semicond. Sci. Technol., 14, L1 (1999)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.K. Gutakovskii, V.I. Mashanov, O.P. Pchelyakov, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys., 91, 4710 (2002)
R.D. Hobard, D.J. Godbey, P.E. Thompson, D.S. Simons. Appl. Phys. Lett., 63, 1381 (1993)
K. Kim, Y. Takakuwa, T. Abukawa, S. Kono. J. Cryst. Growth, 186, 95 (1998)
D.D. Perovic, G.C. Weatherly, J.-M. Baribeau, D.C. Houghton. Thin Sol. Films, 183, 141 (1989)
J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Thin Sol. Films, 466, 69 (2004)
F.K. Legoues, B.S. Meyerson, J.F. Morar, P.D. Kirchner. J. Appl. Phys., 71, 4230 (1992)
M.A. Lutz, R.M. Feenstra, F.K. LeGoues, P.M. Mooney, J.O. Chu. Appl. Phys. Lett., 66, 724 (1995)
F.R. LeGoues. Phys. Rev. Lett., 72, 876 (1994)
A. Portavoce, I. Berbezier, A. Ronda. Phys. Rev. B, 69, 155 416 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель