ФТП, 2007, том 41, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствии сурфактанта Sb методом молекулярной эпитаксии

Ю.Б.Болховитянов\kern1pt, А.С.Дерябин, А.К.Гутаковский, А.В.Колесников, Л.В.Соколов

Институт физики полупроводников Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 31 октября 2006 г. Принята к печати 7 февраля 2007 г.)

Пластически релаксированные пленки GeSi с долей Ge, равной 0.29-0.42, и толщиной до 0.5 мкм выращены на подложках Si(001) с использованием низкотемпературного (350oC) буферного слоя Si и Sb как сурфактанта. Показано, что введение Sb, выглаживающей поверхность пленки на стадии псевдоморфного роста, понижает плотность пронизывающих дислокаций в пластически релаксированной гетероструктуре на 1-1.5 порядка, а также уменьшает финишную шероховатость поверхности. Среднеквадратичная величина шероховатости меньше чем 1 нм была получена для пленки с содержанием Ge 0.29 и с плотностью пронизывающих дислокаций около 106 см-2. Предполагается, что влияние сурфактанта основано на том, что в присутствии Sb снижается активность поверхностных источников дислокаций.

PACS: 61.72.Lk, 68.35.Ct, 68.55.Jk, 81.15.Hi

 PDF версия (263Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster