ФТП, 2007, том 41, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоких уровнях накачки

Д.А.Винокуров, С.А.Зорина, В.А.Капитонов, А.Ю.Лешко, А.В.Лютецкий, Т.А.Налет, Д.Н.Николаев,
Н.А.Пихтин, Н.А.Рудова, С.О.Слипченко, З.Н.Соколова, А.Л.Станкевич, Н.В.Фетисова, М.А.Хомылев,
В.В.Шамахов, К.С.Борщев\kern1pt*, И.Н.Арсентьев, А.Д.Бондарев, М.К.Трукан, И.С.Тарасов\kern1pt

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Воронежский государственный университет,
394006 Воронеж, Россия

(Получена 12 февраля 2007 г. Принята к печати 28 февраля 2007 г.)

Экспериментально исследованы спектральные и мощностные характеристики полупроводниковых лазеров на основе квантово-размерных асимметричных гетероструктур раздельного ограничения в системе твердых растворов InGaAs/GaAs/AlGaAs, при высоких уровнях накачки в импульсом режиме генерации (200 А, 100 нс и 10 кГц.) Показано, что в лазерах с квантово-размерной активной областью, содержащей один или два электронных уровня размерного квантования, спектр состоит из одной или двух полос генерации. Установлено, что условие инверсной заселенности второго электронного уровня и двухполосная генерация достигается за счет насыщения скорости стимулированной рекомбинации с первого электронного уровня и высокой плотности состояний для второго уровня. Продемонстрировано, что в лазерах с двухполосным спектром генерации интегральная мощность излучения существенно превышает мощность излучения лазера с одним электронным уровнем и одной спектральной полосой.

PACS: 42.55.Px, 85.30.De, 85.35.Be

 PDF версия (181Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster