ФТП, 2007, том 41, выпуск 7

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск


Обзоры
Калинина Е.В. Влияние облучения на свойства SiC и приборы на его основе	769

Электронные и оптические свойства полупроводников
Гривул В.И., Махний В.П., Слетов М.М. Природа краевой люминесценции диффузионных слоев ZnSe : Sn	806
Степанов Н.П., Немов С.А., Житинская М.К., Свечникова Т.Е. Оптические свойства легированных кристаллов теллурида висмута в области плазменных эффектов	808
Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В., Голощапов С.И. Электронный парамагнитный резонанс взаимодействующих спинов в $n$ -Ge. I. Спектр и $g$ -фактор	812
Шмелькин А.Б., Цэндин К.Д. Особенности электролюминесценции эрбия в неупорядоченных полупроводниках, обусловленные различием заряда локализованных состояний	821
Богобоящий В.В., Ижнин И.И., Поцяск М., Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Конверсия типа проводимости при ионном травлении узкощелевых монокристаллов HgCdTe, легированных Au и Ag	826

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Кулькова С.Е., Еремеев С.В., Постников А.В., Бажанов Д.И., Потапкин Б.В. Атомная и электронная структура поверхности GaAs(001)	832

Низкоразмерные системы
Гергель В.А., Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Погосов А.О., Рзаев М., Сибельдин Н.Н., Щелева И.М., Якупов М.Н. Особенности латеральной электропроводности легированных островковых Si/Ge-структур $p$ -типа	840
Маслов А.Ю., Прошина О.В., Русина А.Н. Роль поверхностных фононов в формировании спектра поляронных состояний в квантовых точках	844
Петров П.В., Иванов Ю.Л., Жуков А.Е. Молекулярное состояние $A$ ⁺-центров в квантовых ямах GaAs/AlGaAs	850

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Улин В.П., Конников С.Г. Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах A^IIIB^V (Часть I)	854
Улин В.П., Конников С.Г. Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах A^IIIB^V (Часть II)	867

Физика полупроводниковых приборов
Стоянов Н.Д., Журтанов Б.Е., Именков А.Н., Астахова А.П., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Высокоэффективные светодиоды на основе тиристорной гетероструктуры II типа $n$ -GaSb/ $p$ -GaSb/ $n$ -GaInAsSb/ $P$ -AlGaAsSb	878
Лютецкий А.В., Борщев К.С., Бондарев А.Д., Налет Т.А., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Фетисова Н.В., Хомылев М.А., Мармалюк А.А., Рябоштан Ю.Л., Симаков В.А., Тарасов И.С. 1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур	883
Дубровский В.Г., Сошников И.П., Сибирев Н.В., Цырлин Г.Э., Устинов В.М., Tchernycheva M., Harmand J.C. О влиянии условий осаждения на морфологию нитевидных нанокристаллов	888