| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Десорбция водорода с поверхности в условиях эпитаксиального наращивания слоев кремния из моносилана в вакууме
Л.К.Орлов, Т.Н.Смыслова
Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
Всесоюзный научно-исследовательский институт экспериментальной физики,
607190 Саров, Россия
(Получена 10 февраля 2005 г. Принята к печати 22 марта 2005 г.)
| Впервые по экспериментальным данным, описывающим степень покрытия поверхности кремниевой пластины водородом непосредственно в процессе выращивания эпитаксиального слоя кремния из силана в вакууме, определен коэффициент десорбции водорода и энергия активации этого процесса. Проведено сопоставление данных величин с результатами других авторов, полученных в условиях низкотемпературного эксперимента, например, методом термодесорбционной спектрометрии. Найденные величины использованы для вычисления коэффициента кристаллизации и его зависимости от температуры роста и скорости распада моносилана на ростовой поверхности. |
| PDF версия (184Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster |