ФТП, 2005, том 39, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Комбинированная модель резонансно-туннельного диода

И.И.Абрамов , И.А.Гончаренко, Н.В.Коломейцева

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220013 Минск, Белоруссия

(Получена 21 декабря 2004 г. Принята к печати 21 января 2005 г.)

Предложена комбинированная модель резонансно-туннельного диода, основанная на полуклассическом и квантово-механическом (формализм волновых функций) подходах. В ней учтены, кроме ряда факторов, важные свойства гетерограниц прибора, в частности форма разрыва зон и поверхностный заряд. Показано, что с помощью модели может быть получено удовлетворительное согласование с экспериментом при расчете вольт-амперных характеристик диода. При этом пиковые напряжения определяются с хорошей точностью только при учете сопротивлений протяженных пассивных областей и поверхностного заряда на гетерограницах.

 PDF версия (201Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster