ФТП, 2005, том 39, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Структуры полупроводник-диэлектрик в фотомишенях видиконов, чувствительных в средней инфракрасной области спектра

Н.Ф.Ковтонюк , В.П.Мисник, А.В.Соколов

Федеральное государственное унитарное предприятие \glqq Центральный научно-исследовательский институт << Комета>>\grqq,
115280 Москва, Россия

(Получена 1 ноября 2004 г. Принята к печати 17 декабря 2004 г.)

Рассмотрена кинетика электронных процессов в фотомишенях видиконов на основе структур полупроводник-диэлектрик из узкозонных полупроводников с учетом стекания заряда в слое диэлектрика и релаксации неравновесной обедненной области в полупроводниковом слое. Приведена оценка времени накопления, пороговой чувствительности, разрешающей способности фотомишеней при различных уровнях входного излучения.

 PDF версия (91Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster