ФТП, 2005, том 39, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур на основе пленок Zn2-2xCuxInxSe2, полученных селенизацией

В.Ю.Рудь *, Ю.В.Рудь, В.Ф.Гременок $, Е.П.Зарецкая $, О.Н.Сергеева $

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
$ Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии,
220072 Минск, Белоруссия

(Получена 16 декабря 2004 г. Принята к печати 30 декабря 2004 г.)

Методом селенизации получены поликристаллические пленки Zn2-2xCuxInxSe2 (ZCIS) p-типа проводимости с толщинами 1-2 мкм. На основе пленок созданы фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры In/p-ZCIS. Исследованы спектры относительной квантовой эффективности структур, полученных селенизацией исходных пленок ZnSe/(Cu--In) и (Zn--Cu--In). Определена оптическая ширина запрещенной зоны Zn2-2xCuxInxSe2 пленок. Сделаны выводы о перспективах применения полученных пленок в качестве широкополосных фотопреобразователей естественного излучения.

 PDF версия (194Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster