ФТП, 2005, том 39, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование свойств Hg1-x-y-zCdxMnyZnzTe как нового материала оптоэлектроники для инфракрасного диапазона

И.Н.Горбатюк, С.Э.Остапов, С.Г.Дремлюженко, Р.А.Заплитный, И.М.Фодчук, В.В.Жихаревич,
В.Г.Дейбук, Н.А.Попенко*, И.В.Иванченко*, А.А.Жигалов*, С.Ю.Карелин*

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича,
58012 Черновцы, Украина
* Институт радиофизики и электроники им. А.Я. Усикова
Национальной академии наук Украины,
61085 Харьков, Украина

(Получена 7 декабря 2004 г. Принята к печати 13 января 2005 г.)

Работа представляет исследования физических параметров нового пятикомпонентного полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe. Показано, что рассматриваемый материал по своим параметрам может успешно конкурировать с HgCdTe --- основным материалом для фотоэлектроники в инфракрасных диапазонах 3-5 и 8-14 мкм.

 PDF версия (295Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster