| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Исследование свойств HgCdMnZnTe как нового материала оптоэлектроники для инфракрасного диапазона
И.Н.Горбатюк, С.Э.Остапов, С.Г.Дремлюженко, Р.А.Заплитный, И.М.Фодчук, В.В.Жихаревич,
В.Г.Дейбук, Н.А.Попенко, И.В.Иванченко, А.А.Жигалов, С.Ю.Карелин
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича,
58012 Черновцы, Украина
Институт радиофизики и электроники им. А.Я. Усикова
Национальной академии наук Украины,
61085 Харьков, Украина
(Получена 7 декабря 2004 г. Принята к печати 13 января 2005 г.)
| Работа представляет исследования физических параметров нового пятикомпонентного полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe. Показано, что рассматриваемый материал по своим параметрам может успешно конкурировать с HgCdTe --- основным материалом для фотоэлектроники в инфракрасных диапазонах и мкм. |
| PDF версия (295Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster |