ФТП, 2005, том 39, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Ловушки для электронов в тонких слоях низкотемпературного арсенида галлия с наноразмерными кластерами As-Sb

П.Н.Брунков, А.А.Гуткин, В.В.Чалдышев, Н.Н.Берт, С.Г.Конников,
В.В.Преображенский *, М.А.Путято *, Б.Р.Семягин *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 1 января 2004 г. Принята к печати 1 января 2005 г.)

С помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней проведены исследования электронных ловушек в слоях низкотемпературного GaAs толщиной ~40 нм, содержащих наноразмерные кластеры As-Sb. Проведение измерений при различных напряжениях смещения и небольших величинах заполняющего импульса позволило выявить две группы ловушек T1 и T2 с заметно различающимися скоростями термической эмиссии электронов. Показано, что плотность ловушек T2 (энергия активации 0.56±0.04 эВ, сечение захвата электронов 2·10-13-10-12 см2) составляет ~2·1012 см-2, тогда как плотность ловушек T1 (энергия активации 0.44±0.02 эВ, сечение захвата электронов 2·10-14-10-13 см2) --- на порядок ниже. Предполагается, что в соответствии с существованием двух групп кластеров, наблюдавшихся в исследуемых слоях, ловушки T2 связаны с кластерами с диаметром 4-7 нм, тогда как ловушки T1 --- с группой крупных кластеров с диаметром до ~20 нм.

 PDF версия (191Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster