ФТП, 2005, том 39, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности переноса заряда в диодах Шоттки на основе полуизолирующего CdTe

Л.А.Косяченко, Е.Л.Маслянчук, В.М.Склярчук

Черновицкий национальный университет
58012 Черновцы, Украина

(Получена 4 октября 2004 г. Принята к печати 10 ноября 2004 г.)

Исследованы электрические характеристики детекторов рентгеновского и gamma-излучения на основе CdTe с диодами Шоттки. Экспериментальные данные получены на диодах Al/p-CdTe с удельным сопротивлением подложки в пределах от 102 до 109 Ом·см (300 K). Полученные результаты интерпретируются в рамках теории генерации--рекомбинации Саа--Нойса--Шокли с учетом особенностей диода Шоттки. Показано, что в случае использования полуизолирующего CdTe наблюдаемые значительные прямые токи обусловлены инжекцией электронов в подложку.

 PDF версия (379Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster