ФТП, 2005, том 39, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Физические свойства CdTe при совместном легировании V и Ge

С.Ю.Паранчич , Л.Д.Паранчич, В.Н.Макогоненко, Ю.В.Танасюк, М.Д.Андрийчук, В.Р.Романюк

Черновицкий национальный университет,
58012 Черновцы, Украина

(Получена 27 мая 2004 г. Принята к печати 9 августа 2004 г.)

Методом Бриджмена получены монокристаллы теллурида кадмия, легированные ванадием и германием, с концентрацией примесей в расплаве NV=1· 1019 см-3, NGe=5· 1018; 1· 1019 см-3. Исследованы электрические и гальваномагнитные характеристики в интервале температур 300-400 K. Установлено, что равновесные характеристики определяются глубокими уровнями (Delta E=0.75-0.95 эВ), которые находятся почти посредине запрещенной зоны. Низкотемпературные спектры оптического поглощения свидетельствуют о том, что в области малых энергий примесные уровни ионов ванадия и германия находятся в различных зарядовых состояниях. Отжиг образцов в парах кадмия с последующим резким охлаждением приводит к распаду различных комплексов, образованных в процессе роста кристалла, увеличению электропроводности и концентрации носителей заряда.

 PDF версия (227Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster