ФТП, 2005, том 39, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности сегрегационного перераспределения фосфора при термическом окислении сильно легированных слоев кремния

О.В.Александров , Н.Н.Афонин *

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет,
197376 Санкт-Петербург, Россия
* Воронежский государственный педагогический университет,
394043 Воронеж, Россия

(Получена 25 мая 2004 г. Принята к печати 10 ноября 2004 г.)

Разработана модель диффузионно-сегрегационного перераспределения фосфора в системе SiO2--Si при термическом окислении сильно легированных слоев кремния, учитывающая образование приповерхностного пика концентрации примеси на межфазной границе. Образование приповерхностного пика концентрации связывается с изменением свободной энергии атомов примеси вблизи поверхности кремния и моделируется с помощью диффузионно-сегрегационного уравнения. Показана адекватность модели для описания перераспределения фосфора при окислении однородно легированных слоев кремния. В случае окисления имплантированных слоев кремния установлено, что коэффициент сегрегации фосфора на межфазной границе SiO2/Si не является постоянным, а зависит от времени таким же образом, как и переходная ускоренная диффузия в кремнии. Явление объясняется реакционным характером сегрегации примесей в процессе термического окисления кремния, при котором избыточные собственные точечные дефекты в имплантированном слое кремния оказывают влияние на процесс окисления и захвата атомов примеси растущим диоксидом кремния.

 PDF версия (226Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster