ФТП, 2005, том 39, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Диффузионный механизм роста нановискеров GaAs и AlGaAs в методе молекулярно-пучковой эпитаксии

Г.Э.Цырлин *$, В.Г.Дубровский $, Н.В.Сибирев *, И.П.Сошников $, Ю.Б.Самсоненко *$,
А.А.Тонких *$, В.М.Устинов $

* Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия
$ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 27 сентября 2004 г. Принята к печати 12 октября 2004 г.)

Проведены теоретические и экспериментальные исследования процессов формирования методом молекулярно-пучковой эпитаксии нановискеров GaAs и AlGaAs на проверхности GaAs (111)B, активированной Au. Экспериментально показана возможность получения нановискеров длиной, на порядок превосходящей эффективную толщину осажденного GaAs. Обнаружено, что экспериментальная зависимость длины нановискера L от его диаметра D может иметь вид, качественно отличный от наблюдаемого при росте по механизму пар--жидкость--кристалл. Полученные в работе зависимости L(D) показывают уменьшение L при увеличении D. Обнаруженные эффекты связаны с наличием диффузионного транспорта атомов с поверхности на вершину вискера, который приводит к существенному увеличению скорости роста тонких вискеров. Развита теоретическая модель формирования нановискеров при молекулярно-пучковой эпитаксии, объединяющая механизм пар--жидкость--кристалл и диффузионную модель роста и качественно объясняющая полученные экспериментальные результаты.

 PDF версия (278Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster