ФТП, 2005, том 39, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические свойства пористого наноразмерного GaAs

А.И.Белогорохов, С.А.Гаврилов*, И.А.Белогорохов+, А.А.Тихомиров*

ФГУП \glqq Гиредмет\grqq,
119017 Москва, Россия
* Московский государственный институт электронной техники (технический университет),
103498 Москва, Россия
+ Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119899 Москва, Россия

(Получена 30 марта 2004 г. Принята к печати 3 июня 2004 г.)

Исследованы оптические свойства слоев пористого GaAs, полученных методом электрохимического травления монокристаллических пластин GaAs(100) n- и p-типа проводимости. Показано, что форма нанокристаллов, их средний диаметр и поверхностные состояния зависят от типа проводимости исходного кристалла. Обнаружено смещение пиков, соответствующих основным оптическим фононам, в низкочастотную область спектров комбинационного рассеяния света. Значения частот колебаний поверностных фононов, полученные из спектров комбинационного рассеяния света и спектров отражения в инфракрасном диапазоне длин волн, совпадают. При переходе от объемного GaAs к его пористой модификации изменяются формы спектральных зависимостей коэффициента отражения в области фононного резонанса, что обусловлено появлением дополнительных осцилляторов, связанных с пространственно ограниченными решеточными колебаниями в нанокристаллах GaAs. Методом атомно-силовой микроскопии проведено исследование морфологии поверхности образцов пористого GaAs, полученных на подложках n-типа проводимости. Наблюдался наноразмерный рельеф поверхности. Оценки значений среднего диаметра нанокристаллов GaAs, сделанные по результатам комбинационного рассеяния света, инфракрасной спектроскопии, фотолюминесценции и атомно-силовой микроскопии, хорошо согласуются друг с другом.

 PDF версия (244Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster