Исследованы оптические свойства слоев пористого GaAs, полученных методом электрохимического травления монокристаллических пластин GaAs(100) n- и p-типа проводимости. Показано, что форма нанокристаллов, их средний диаметр и поверхностные состояния зависят от типа проводимости исходного кристалла. Обнаружено смещение пиков, соответствующих основным оптическим фононам, в низкочастотную область спектров комбинационного рассеяния света. Значения частот колебаний поверностных фононов, полученные из спектров комбинационного рассеяния света и спектров отражения в инфракрасном диапазоне длин волн, совпадают. При переходе от объемного GaAs к его пористой модификации изменяются формы спектральных зависимостей коэффициента отражения в области фононного резонанса, что обусловлено появлением дополнительных осцилляторов, связанных с пространственно ограниченными решеточными колебаниями в нанокристаллах GaAs. Методом атомно-силовой микроскопии проведено исследование морфологии поверхности образцов пористого GaAs, полученных на подложках n-типа проводимости. Наблюдался наноразмерный рельеф поверхности. Оценки значений среднего диаметра нанокристаллов GaAs, сделанные по результатам комбинационного рассеяния света, инфракрасной спектроскопии, фотолюминесценции и атомно-силовой микроскопии, хорошо согласуются друг с другом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.