Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Кинетика и неоднородная инжекция носителей в нанослоях InGaN
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 21 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.
Исследовались электронно-оптические свойства светодиодных структур, содержащих в активной области несколько рядов квантовых точек InGaN/GaN, разделенных спейсерами GaN. Показано, что заращивание слоя квантовых точек слоем InGaN более низкого состава с повышением температуры позволяет усилить глубину локализации носителей в квантовых точках. Кроме того, наблюдается неоднородная инжекция носителей преимущественно в области с большей глубиной локализации. Подробно исследованы электронно-оптические свойства p-n-перехода и влияние указанных неоднородностей на эти свойства и показано, что сдвиги линий излучения фото- и электролюминесценции при изменении условий измерений связаны с данными свойствами неоднородности в p-n-переходе.
- R. P. O'Donnell, S. Pereira, R.W. Martin, P.R. Edwards, M.J. Tobin, J.F.W. Masselmans. Phys. Status Solidi A, 195, 532, (2003)
- T. Okumura, Y. Akagi. J. Cryst. Growth, 223, 43 (2001)
- M.S. Jeong, J.Y. Kim, Y.-W. Kim, J.O. White, E.-K. Suh, C.-H. Hong, H.J. Lee. Appl. Phys. Lett., 79, 976 (2001)
- T. Mukai, M. Yamada, S. Nakamura. Jap. J. Appl. Phys., 38, 3976 (1999)
- S. Chichibu, T. Sota, K. Wada, S. Nakamura. J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 2204 (1998)
- P.G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, M. Osinski. Appl. Phys. Lett., 71, 569 (1997)
- Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
- I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen. Phys. Rev. B, 66, 155 310 (2002).
- A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, E.E. Zavarin, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Proc. 8th Int. Symposium "Nanostructures Physics and Technology", St. Petersburg, June 19-23, 2000, p. 216
- R.W. Martin, P.G. Middelton, K.P. O'Donnell, W. Van der Stricht. Appl. Phys. Lett., 74 (2), 263 (1999)
- D.S. Sizov, V.S. Sizov, A.I. Besulkin, A.V. Fomin, V.V. Lundin, M.A. Sinitsyn, A.F. Tsatsul'nikov, E.E. Zavarin, N.N. Ledentsov. Proc. 12th Int. Symposium "Nanostructures Physics and Technology", St. Petersburg, June 21--25, 2004
- P. Fisher, J. Christen, S. Nakamura. Jap. J. Appl. Phys., 39, L129 (2000)
- В.Е. Кудряшов, К.Г. Золин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 31, 1304 (1997)
- H.C. Casey, jr., J. Muth, S. Krishnankutty, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett., 68, 2867 (1996)
- T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakay, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka, N. Yamada. Appl. Phys. Lett., 73, 1691 (1998).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
