ФТП, 2004, том 38, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Распределение плотности электронных состояний в запрещенной зоне микрокристаллического гидрированного кремния

А.Г.Казанский, К.Ю.Хабарова

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия

(Получена 1 марта 2004 г. Принята к печати 23 марта 2004 г.)

С помощью метода фотомодуляционной спектроскопии исследовано распределение плотности электронных состояний в запрещенной зоне пленок микрокристаллического гидрированного кремния (mu c-Si : H) с различным уровнем легирования бором. Информацию о распределении плотности состояний получали из анализа температурных зависимостей постоянной и переменной составляющих фотопроводимости при освещении пленок модулированным светом. Получено распределение плотности электронных состояний в верхней и нижней половинах запрещенной зоны mu c-Si : H. Проведенные исследования показали, что в mu c-Si : H хвост плотности состояний вблизи валентной зоны более пологий по сравнению с хвостом плотности состояний вблизи зоны проводимости.

 PDF версия (150Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster