ФТП, 2004, том 38, выпуск 10
ФТП, 2004, том 38, выпуск 10
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Свойства нановискеров GaAs на поверхности GaAs (111)B, полученных комбинированным методом
А.А.Тонких, Г.Э.Цырлин, Ю.Б.Самсоненко, И.П.Сошников, В.М.Устинов
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 2 марта 2004 г. Принята к печати 4 марта 2004 г.)
| Комбинированным методом вакуумного напыления и молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (111)B синтезированы массивы нитевидных кристаллов (вискеров) GaAs. Структурные свойства поверхности полученных образцов исследованы с помощью сканирующего электронного микроскопа. Обнаружено, что поверхностная плотность вискеров составляет величину . Характерные размеры вискеров: 30--150 нм (диаметр) и 300--800 нм (длина). Показана возможность управлять размерами вискеров путем изменения условий роста и толщины напыленной пленки золота. |
| PDF версия (178Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2004, Коллектив авторов Разработано... webmaster |