ФТП, 2004, том 38, выпуск 10
ФТП, 2004, том 38, выпуск 10
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
О возможностях подавления формирования -кластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии Ge на Si (100)
А.А.Тонких , Г.Э.Цырлин , В.Г.Дубровский , В.М.Устинов , P.Werner
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
198103 Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Max-Planck-Institute for Microstructure Physics,
D-06120 Halle / Saale Germany, Weinberg 2
(Получена 11 февраля 2004 г. Принята к печати 16 февраля 2004 г.)
| Методами атомно-силовой микроскопии и дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование морфологических особенностей массива островков Ge нанометрового диапазона, сформированных на поверхности Si (100) при молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что присутствие сурьмы на поверхности подложки во время осаждения Ge значительно повышает плотность конечного массива островков, а также подавляет образование dome-кластеров при температурах C. Полученные результаты предложено интерпретировать в рамках кинетической модели формирования упругонапряженных островков в гетероэпитаксиальных системах, рассогласованных по параметру решетки. |
| PDF версия (236Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2004, Коллектив авторов Разработано... webmaster |