ФТП, 2004, том 38, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Модель электрической изоляции GaN и ZnO при бомбардировке легкими ионами

А.И.Титов , П.А.Карасев, С.О.Кучеев *

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
* Research School of Physical Sciences and Engineering, The Australian National University,
Canberra, ACT 0200, Australia

(Получена 30 января 2004 г. Принята к печати 20 марта 2004 г.)

Представлена модель формирования электрической изоляции GaN и ZnO под действием облучения быстрыми ионами. В качестве основного процесса, приводящего к снижению концентрации свободных носителей и росту сопротивления, рассматривается образование комплексов, состоящих из атома легирующей примеси и созданного ионным пучком простейшего точечного дефекта. Проведенное сравнение результатов модели и экспериментальных данных по возникновению изоляции, полученных для GaN и ZnO, показывает, что модель способна удовлетворительно описывать происходящие процессы.

 PDF версия (282Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster