ФТП, 2004, том 38, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe

П.А.Бахтин, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин, А.П.Коробкин, Н.Н.Михайлов, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 8 января 2004 г. Принята к печати 26 февраля 2004 г.)

Проведено исследование влияния низкотемпературного изотермического отжига на электрофизические параметры пленок CdxHg1-xTe (KPT). Пленки с составом x=0.21-0.23 и n-типа проводимости были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs. Отжиги проводились в интервале температур 90-230oC и длительностью 1--1000 ч. Изменения проводимости, коэффициента Холла и времени жизни неосновных носителей при отжиге объясняются образованием вакансий ртути и выходом атомов ртути из образца. Исследовано влияние различных защитных покрытий на скорость изменения электрофизических параметров пленок КРТ. Наиболее эффективным покрытием, стабилизирующим параметры пленок n-типа, оказался анодный оксид. Анализ зависимостей эффекта Холла и проводимости от магнитного поля показал, что наблюдаемые при отжиге изменения параметров можно описать в рамках двухслойной модели с двумя типами электронов: с высокой и низкой подвижностью.

 PDF версия (199Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster