ФТП, 2004, том 38, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование зависимостей проводимости и коэффициента Холла от магнитного поля в пленках CdXHg1-XTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

П.А.Бахтин, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин , А.П.Коробкин, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 8 января 2004 г. Принята к печати 4 марта 2004 г.)

Проведено исследование зависимостей проводимости и коэффициента Холла от магнитного поля в пленках CdXHg1-XTe (КРТ) при 77 K. Пленки n-типа с X=0.21-0.23 были выращены на подложках GaAs ориентации (013) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено уменьшение проводимости и коэффициента Холла в 3-5 раз при изменении магнитного поля от 0 до 1 Тл. Показано, что такие зависимости хорошо описываются в рамках двухслойной модели с высокой и низкой подвижностью электронов. Анализ измерений при послойном стравливании пленок показал, что пленку КРТ можно представить в виде двухслойной структуры. При этом тонкий слой, имеющий высокую концентрацию электронов с низкой подвижностью, расположен у границы с буферным слоем  CdTe. Высокая концентрация электронов с низкой подвижностью в этом слое может быть обусловлена повышенной дефектностью слоя. Исследования с помощью просвечивающей электронной микроскопии показали наличие сетки дислокаций в пленке КРТ у границы с буферным слоем.

 PDF версия (190Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster