Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2004, выпуск 10 » Статья стр. 1199
<<<>>>
Электронные и структурные переходы в сплавах Pb1-xGexTe : Ga под давлением
Скипетров Е.П.1, Зверева Е.А.1, Волкова О.С.2, Голубев А.В.2, Моллаев А.Ю.3, Арсланов Р.К.3, Слынько В.Е.4
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах), Москва, Россия
3Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
4Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 24 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.
PDF версия
Исследовано влияние давления на электрофизические свойства сплавов n-Pb1-xGexTe (x=0.06, 0.08), легированных галлием. Получена зависимость энергии активации глубокого примесного уровня галлия от давления, и показано, что его положение относительно дна зоны проводимости практически не изменяется под давлением. На температурных и барических зависимостях удельного сопротивления обнаружены аномалии, связанные, по-видимому, со структурными фазовыми переходами из кубической в ромбоэдрическую и орторомбическую фазы соответственно. Полученные результаты использованы для построения диаграммы перестройки энергетического спектра носителей заряда в кубической фазе исследованных сплавов под действием давления.
  1. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 172, 875 (2002)
  2. E.P. Skipetrov, E.A. Zvereva, L.A. Skipetrova, V.V. Belousov, A.M. Mousalitin. J. Cryst. Growth, 210, 292 (2000)
  3. Е.П. Скипетров, Е.А. Зверева, В.В. Белоусов, Л.А. Скипетрова, Е.И. Слынько. ФТП, 34, 932 (2000)
  4. Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, А.М. Гаськов, В.П. Зломанов, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. ФТП, 17, 87 (1983)
  5. Б.А. Акимов, А.В. Албул, Е.В. Богданов, В.Ю. Ильин. ФТП, 28, 232 (1994)
  6. В.Е. Слынько. Вестн. Львов. ун-та, 34, 291 (2001)
  7. S. Takaoka, K. Murase. Phys. Rev B, 20, 2823 (1979)
  8. D.C. Hohnke, H. Holloway, S. Kaiser. J. Phys. Chem. Sol., 33, 2053 (1972)
  9. Б.А. Акимов, А.В. Албул, И.И. Иванчик, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов. ФТП, 27, 351 (1993)
  10. А.И. Лебедев, И.А. Случинская. ФТТ, 35, 629 (1993)
  11. В.В. Маслов, С.В. Барышников, В.В. Казаков, И.А. Драбкин. В сб.: Элементарные возбуждения в сегнетоэлектриках (Л., 1983) с. 30
  12. T. Suski, S. Takaoka, K. Ishii, K. Murase. J. Phys. C, 17, 2181 (1984)
  13. J. Melngailis, J.A. Kafalas, T.C. Harman. J. Phys. Chem. Sol. Suppl., 32, 407 (1971)
  14. J. Melngailis, T.C. Harman, J.A. Kafalas. In: Physics of IV--VI Semiconductors, ed. by S. Rabii (N. Y.--London, Gordon and Breach, 1974) p. 59
  15. Y. Fujii, K. Kitamura, A. Onodera, Y. Yamada. Sol. St. Commun., 49, 135 (1984)
  16. T. Chattopadhyay, A. Werner, H.G. von Schnering. Rev. Phys. Appl., 19, 807 (1984)
  17. Н.Б. Брандт, Я.Г. Пономарев, Е.П. Скипетров, В. Титель, В.И. Штанов. ФТП, 17, 645 (1983)
  18. G. Nimtz, B. Schlicht. In: Narrow-gap semiconductors, ed. by R. Dornhaus, G. Nimtz and B. Schlicht (Berlin--Heidelberg--N. Y.--Tokyo, Springer, 1983) p. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme