Исследованы особенности образования толстых слоев пористого кремния на кремниевых подложках $n$-типа в гальваностатическом режиме. Обнаружен скачок на зависимостях напряжение--время в процессе анодирования при освещении видимым светом без ИК составляющей. Скачок сопровождается возникновением крупноблочного нарушенного слоя кремния. Показано, что эти эффекты связаны с недостаточной концентрацией дырок, необходимых для травления кремния. В результате механизм генерации неосновных носителей изменяется от радиационного на механизм лавинного пробоя.