С помощью акустических методов исследована комплексная высокочастотная проводимость гетероструктур GaAs/Al$$_0.3Ga$$_0.7As, $$delta- и модулированно легированных Si, в режиме целочисленного квантового эффекта Холла. По зависимостям поглощения и скорости поверхностных акустических волн от магнитного поля определены как активная $$sigma₁, так и реактивная $$sigma₂ части комплексной проводимости $$sigma(omega,H)=sigma_i-isigma₂. Показано, что в гетероструктурах с электронной концентрацией $n$_s=(1.3-7)· 10¹¹ см^-2 и подвижностью $$mu=(1-2)· 10⁵ см²/(В·с) ВЧ проводимость вблизи центров холловских плато является прыжковой. Установлено, что при факторах заполнения 2 и 4 проводимость слоя Al$$_0.3Ga$$_0.7As существенно шунтирует прыжковую ВЧ проводимость двумерного интерфейсного слоя. Разработан метод разделения вкладов в прыжковую проводимость $$sigma(omega,H) от интерфейсного слоя и слоя Al$$_0.3Ga$$_0.7As. Определена длина локализации электронов в интерфейсном слое на основе модели одноэлектронных прыжков на ближайший узел. Показано, что в гетероструктурах GaAs/Al$$_0.3Ga$$_0.7As вблизи центров холловских плато как $$sigma(omega,H), так и $n$_s зависят от скорости охлаждения образца. В результате образец \glqq помнит\grqq условия охлаждения. Величины $$sigma(omega,H) и $n$_s чувствительны также к инфракрасному облучению и к статической деформации образца. Мы связываем эти факты с присутствием в слое Al$$_0.3Ga$$_0.7As двухэлектронных дефектов --- так называемых $DX-$-центров.