ФТП, 2004, том 38, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Выращивание эпитаксиальных слоев AlGaN и сверхрешеток AlGaN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

В.В.Лундин , А.В.Сахаров, А.Ф.Цацульников, Е.Е.Заварин, А.И.Бесюлькин, А.В.Фомин, Д.С.Сизов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 27 ноября 2003 г. Принята к печати 3 декабря 2003 г.)

Исследованы особенности газофазной эпитаксии из металлорганических соединений слоев AlGaN и сверхрешеток AlGaN/GaN в реакторах различного размера (лабораторный Epiquip VP-50 RP и полупромышленный AIX2000HT). Обнаружен эффект насыщения зависимости содержания алюминия в твердой фазе от потока триметилалюминия (ТМА) в реакторе, препятствующий выращиванию слоев с высоким содержанием алюминия. Эффект наблюдался для обоих исследованных реакторов, однако он более выражен в реакторе большего размера. Предположительно, данный эффект является следствием паразитных реакций в газовой фазе и зависит от парциального давления ТМА в реакторе. Помимо снижения общего давления в реакторе, содержание алюминия в слоях может быть увеличено при повышении полного потока газа через реактор и снижении потока триметилгаллия. При использовании данных подходов на полупромышленной установке AIX2000HT были выращены слои с мольной долей AlN до 20% при давлении в реакторе 400 мбар (до 40% при 200 мбар). В лабораторном реакторе были выращены слои AlGaN во всем диапазоне составов.

 PDF версия (271Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster