Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структурные дефекты на границе раздела сегнетоэлектрик-полупроводник

Берман Л.С.¹, Титков И.Е.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 28 ноября 2003 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

PDF версия

Исследованы структурные дефекты на границе раздела между Pb_0.95La_0.05Ti_0.8Zr_0.2O₃ и La_1.85Sr_0.15CuO₄. Использован метод изотермической релаксации тока. Были рассмотрены два случая. а) Толщина дефектного слоя много меньше толщины области объемного заряда. б) Толщина дефектного слоя больше толщины области объемного заряда. Показано, что в исследованных образцах толщина дефектного слоя больше 50-100 Angstrem, а в интервале энергий E_v+(0.55-0.65) эВ плотность состояний глубокоуровневых центров порядка 3· 10²⁰ см^-3 эВ^-1, что соответствует плотности поверхностных состояний порядка 2· 10¹⁴ см^-2 эВ^-1. Показано, что плотность состояний глубокоуровневых центров возрастает от границы раздела в глубь полупроводника.

Y. Watanabe. Jap. J. Appl. Phys., 35, pt 1, 1564 (1995)
Y. Watanabe. Phys. Rev. B, 59, 11 257 (1999)
M.W. Prins, S.E. Zimmers, J.F. Cilessen, J.B. Giesbers. Appl. Phys. Lett., 70, 458 (1997)
И.А. Веселовский, И.В. Грехов, Л.А. Делимова, И.А. Линийчук. Письма ЖТФ, 27, 39 (2001)
Y. Watanabe, Y. Matsumoto, M. Tanamura. Jap. J. Appl. Phys., 34, 5254 (1995)
W. Wu, K.H. Wong, C.L. Mak, C.L. Chou, Y.H. Zhang. J. Appl. Phys., 88, 2068 (2000)
H. Sugiyama, T. Nakaiso, Y. Adachi, M. Noda, M. Okuyama. Jap. J. Appl. Phys., 39, pt 1, 2131 (2000)
T. Mihara, Y. Watanabe. Integrated Ferroelectrics, 1, 269 (1992)
J.M. Benedetto, R.A. Moore, F.B. Mc Lean. J. Appl. Phys., 75, 460 (1994)
P.K. Larsen, G.J.M. Dormans, D.J. Taylor, P.J. van Veldhoven. J. Appl. Phys., 76, 2405 (1994)
S.L. Miller, R.D. Nasby, J.R. Schwank, M.S. Rodgers, P.V. Gressendorfer. J. Appl. Phys., 68, 6483 (1990)
Y.S. Yang, S.J. Lee, S.H. Kim, B.G. Chae, N.S. Jang. J. Appl. Phys., 84, 5005 (1998)
S.L. Miller, J.R. Schwank, R.D. Nasby, M.S. Rodgers. J. Appl. Phys., 70, 2849 (1991)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1981) т. 1
J.G. Simmons, L.S. Wei. Sol. St. Electron., 17, 117 (1974)
I. Grekhov, L. Delimova, I. Liniichuk, D. Mashovets, I. Veselovsky. Integrated Ferroelectrics, 43, 175 (2002)
C.B. Sawyer, C.H. Tower. Phys. Rev., 35, 269 (1930)
А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (М., Мир, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель