ФТП, 2004, том 38, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности получения и некоторые свойства гетероперехода n-ZnO : Ga/p-GaN : Mg/alpha-Al2O3

Б.М.Атаев , Я.И.Аливов *, В.В.Мамедов, С.Ш.Махмудов, Б.А.Магомедов

Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук,
367003 Махачкала, Россия
* Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия

(Получена 13 октября 2003 г. Принята к печати 5 ноября 2003 г.)

Приведены первые результаты по выращиванию гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/alpha-Al2O3 в проточном реакторе пониженного давления методом химических транспортных реакций с использованием плазмы высокочастотного разряда. Активация реагентов в процессе роста позволила значительно повысить эффективное давление атомарного кислорода в реакторе и существенно снизить температуру эпитаксии, улучшить морфологические, структурные параметры слоев ZnO и сформировать гетеропереход n-ZnO : Ga/p-GaN : Mg/alpha-Al2O3.

 PDF версия (165Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster