ФТП, 2004, том 38, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности электрического транспорта в анизотропно наноструктурированном кремнии

П.А.Форш , Л.А.Осминкина, В.Ю.Тимошенко, П.К.Кашкаров

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия

(Получена 27 октября 2003 г. Принята к печати 4 ноября 2003 г.)

Исследованы закономерности электрического транспорта в слоях пористого кремния, полученного методом электрохимического травления пластин монокристаллического кремния p-типа с ориентацией поверхности (110). Обнаружено, что латеральные проводимость и фотопроводимость слоев вдоль кристаллографической оси [110] значительно выше, чем вдоль оси [001]. Для объяснения полученного результата использована модель эффективной среды, в которой учтено наличие потенциальных барьеров на границах кремниевых нанокристаллов, характеризующихся анизотропией формы. Экспоненциальная зависимость проводимости пористого кремния от корня квадратного из приложенного напряжения интерпретирована в рамках эффекта Пула-Френкеля.

 PDF версия (166Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster