Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Низкопороговые инжекционные лазеры на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, работающие в диапазоне длин волн 1.3 мкм
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 20 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.
Исследована конструкция активной области инжекционных лазеров на основе одиночных квантовых ям InGaAsN. Продемонстрирована длинноволновая (1.27-1.3 мкм), низкопороговая (<400 А/см2), высокоэффективная (>50%) лазерная генерация при комнатной температуре в структурах на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, в барьерах GaAs или InGaAsN. Исследованы основные характеристики лазеров (пороговые, температурные, мощностные) в геометрии широкого полоска для структур с активной областью указанных типов. Проведен сравнительный анализ характеристик инжекционных лазеров с активной областью различных конструкций.
- V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 15, R41 (2000)
- A.Yu. Egorov, D. Bernklaua, B. Borchert, S. Illek, D. Livshits, A. Rucki, M. Schuster, A. Kaschner, A. Hoffman, Gh. Dumitras, M.C. Amann, H. Riecher. J. Cryst. Growth, 227-228, 545 (2001)
- Н.А. Малеев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 35 (7), 881 (2001). [Semiconductors, 35 (7), 847 (2001)]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
