ФТП, 2004, том 38, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Изменение контактной разности потенциалов фотодиода на основе гетероперехода n-InSe--p-GaSe в процессе \glqq старения\grqq

С.И.Драпак, В.Б.Орлецкий, З.Д.Ковалюк

Институт проблем материаловедения им. Францевича Национальной академии наук Украины,
58001 Черновцы, Украина

(Получена 24 сентября 2003 г. Принята к печати 17 октября 2003 г.)

Исследовано изменение контактной разности потенциалов контакта n-InSe--p-GaSe в процессе длительного (более 10 лет) хранения в нормальных условиях. Обнаруженное существенное увеличение со временем контактной разности потенциалов объясняется сближением поверхностей моноселенидов индия и галлия вследствие диффузионного расплывания кислорода, первоначально адсорбированного на границе раздела, в глубь контактирующих полупроводников с образованием участков реального \glqq тесного\grqq контакта InSe/GaSe.

 PDF версия (174Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster