Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изменение контактной разности потенциалов фотодиода на основе гетероперехода n-InSe--p-GaSe в процессе "старения"
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 24 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.
Исследовано изменение контактной разности потенциалов контакта n-InSe-p-GaSe в процессе длительного (более 10 лет) хранения в нормальных условиях. Обнаруженное существенное увеличение со временем контактной разности потенциалов объясняется сближением поверхностей моноселенидов индия и галлия вследствие диффузионного расплывания кислорода, первоначально адсорбированного на границе раздела, в глубь контактирующих полупроводников с образованием участков реального "тесного" контакта InSe/GaSe.
- В.Л. Бакуменко, В.Ф. Чишко. ФТП, 11 (11), 2000 (1977)
- В.Л. Бакуменко, З.Д. Ковалюк, Л.Н. Курбатов, В.Г. Тагаев, В.Ф. Чишко. ФТП, 12 (2), 374 (1978)
- Т.В. Аверьянова, В.Л. Бакуменко, Л.Н. Курбатов, В.Г. Тагаев, В.Ф. Чишко. ФТП, 14 (8), 1573 (1980)
- В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.А. Монассон, К.Д. Товстюк. ФТП, 21 (2), 380 (1987)
- Э.Г. Аширов, В.Л. Бакуменко, А.К. Бонаков, Ю.С. Магай и др. Тез. докл. Всес. сем. по радиационным эффектам в полупроводниках и полупроводниковых приборах (Баку, Азернешер, 1980) с. 91
- R.H. Williams, A.J. McAvej. J. Vac. Sci. Technol., 9 (2), 867 (1972)
- Л.Б. Ананьина, В.Л. Курбатов, В.Ф. Чишко. ФТП, 10 (12), 2373 (1976)
- З. Ковалюк, В. Махний, О. Янчук. Вестн. Львов. ун-та. Сер. физическая, вып. 34, 217 (2001)
- В.Н. Катеринчук. Фотоэлектрические свойства структур полупроводник--диэлектрик--полупроводник на основе моноселенидов галлия и индия (Черновцы, ЧГУ, 1989)
- Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 18 (8), 1472 (1984)
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Наука, 1975) с. 4
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1965) с. 363
- J. Martinez-Pastor, A. Segura, J.L. Valdes, A. Chevy. J. Appl. Phys., 21 (2), 1477 (1987)
- R.R. Daniels, G. Margaritondo, C. Quaresima, P. Perfetti, F. Levy. J. Vac. Sci. Technol. A, 3 (3), 979 (1985)
- А.Г. Кязым-заде, Д.Х. Джафаров. Докл. АН АзССР, 36 (10), 7 (1980)
- С.И. Драпак, В.А. Манассон, В.В. Нетяга, З.Д. Ковалюк. ФТП, 37 (2), 172 (2003)
- А.Я. Вуль, А.В. Саченко. ФТП, 17 (8), 1361 (1983)
- С.И. Драпак, В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.А. Манассон. ФТП, 23 (8), 1510 (1989)
- К.Д. Товстюк. Полупроводниковое материаловедение (Киев, Наук. думка, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
