| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Тепловой расчет -диодов на основе карбида кремния
П.Б.Гамулецкая, А.В.Кириллов, А.А.Лебедев, Л.П.Романов, В.А.Смирнов
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
ЗАО \glqq Светлана--Электронприбор\grqq,
Санкт-Петербург, Россия
(Получена 3 сентября 2003 г. Принята к печати 9 сентября 2003 г.)
| Приведены результаты тепловых расчетов различных конструктивных моделей -диодов на основе SiC с емкостью структуры 0.2 пФ при толщинах подложки 360, 50 и 2 мкм. Проведено сравнение с кремниевой -структурой на интегральном теплоотводе. |
| PDF версия (137Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2004, Коллектив авторов Разработано... webmaster |