ФТП, 2004, том 38, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование характеристик фотодиодных линеек на InSb

П.В.Бирюлин, В.И.Туринов, Е.Б.Якимов*

Научно-производственное предприятие \glqq Исток\grqq,
141190 Фрязино, Россия
* Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия

(Получена 18 марта 2003 г. Принята к печати 20 августа 2003 г.)

Исследованы электрические характеристики из 8-элементных сурьмянисто-индиевых фотодиодных линеек при T=78-145 K. Коэффициенты взаимной связи соседних p-n-переходов не превышали 4.3%. При исследовании поверхности имплантированных цинком p-n-переходов в режиме вторичных электронов и методом наведенного тока в растровом микроскопе у них выявлены дефекты под пленкой ZnS, а также локальные неоднородности тока через p-n-переходы.

 PDF версия (682Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster