Описание результатов разработки и исследования параметров детекторов проведено в двух аспектах. Во-первых, отражены специфические возможности SiC-детекторов в задачах ядерной физики и техники; приведены типичные примеры использования детекторов. Во-вторых, пояснена связь характеристик детекторов со свойствами исходного материала; описан ряд методов определения конкретных параметров SiC исходя из характеристик детекторов.

Сделано заключение, что прогресс последних лет в получении совершенных пленок SiC (разностная концентрация примесей $(3$·10¹⁴-3·10¹⁵) см^-3, плотность полых каналов --- micropipe-дефектов до 1 см$-2$) позволил SiC войти в категорию материалов, пригодных для создания современных детекторов. Технологические возможности SiC отнюдь не исчерпаны и, несомненно, уже в ближайшее время будут реализованы различные (в том числе, многоэлементные) конфигурации детекторов.