ФТП, 2003, том 37, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Пикосекундные высоковольтные дрейфовые диоды на основе арсенида галлия

А.В.Рожков , В.А.Козлов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 8 июля 2003 г. Принята к печати 14 июля 2003 г.)

Представлены экспериментальные результаты исследования динамики восстановления диодов на основе слабо легированных эпитаксиальных слоев. Изученные диоды принадлежат к классу дрейфовых диодов с резким восстановлением и предназначены для работы в схемах формирования и генерирования пикосекундных импульсов. Полученные значения скорости восстановления обратного напряжения (dU/dt~ 2000 В/нс) значительно превосходят предельные скорости восстановления известных нам пикосекундных диодов с накоплением заряда и являются рекордными для дрейфовых диодов с резким восстановлением.\label4234

 PDF версия (100Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster