ФТП, 2003, том 37, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Умножение носителей заряда в кремниевых P-N-переходах

Ю.Н.Сережкин , А.А.Шестеркина

Мордовский государственный университет,
430000 Саранск, Россия

(Получена 5 ноября 2002 г. Принята к печати 21 ноября 2002 г.)

Рассмотрены зависимости коэффициентов умножения носителей заряда M от приложенного напряжения в кремниевых p-n-переходах с напряжением лавинного пробоя 10--3000 В. Предложены аналитические выражения для аппроксимации этих зависимостей для электронов, дырок и генерационного тока. В диапазоне изменения коэффициентов умножения 1.01--3.0 относительная среднеквадратичная ошибка аппроксимации (M-1) составляет несколько процентов. Это более чем на порядок величины лучше, чем при аппроксимации широко распространенным выражением Миллера--Молла.

Предполагается, что аналитические выражения предлагаемого вида будут пригодны для аппроксимации зависимостей коэффициентов умножения от приложенного напряжения в большинстве полупроводниковых материалов.

 PDF версия (116Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster