Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зависимость энергии активации A(+)-центров от ширины квантовых ям в структурах GaAs/AlGaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 9 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.
Проведены люминесцентные измерения структур с несколькими квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, содержащими A(+)-центры, при разных ширинах квантовых ям с целью определения зависимости энергии активации A(+)-центров от ширины квантовых ям. Показано, что с уменьшением ширины ям энергия активации A(+)-центров значительно возрастает, причем в ямах шириной 10 нм энергия активации в 10 раз больше, чем в объемном материале. Замечено, что энергия активации A(+)-центров зависит от их концентрации.
- Н.В. Агринская, Ю.Л. Иванов, В.М. Устинов, Д.А. Полоскин. ФТП, 35, 571 (2001)
- Н.В. Агринская, В.И. Козуб, Ю.Л. Иванов, В.М. Устинов, А.В. Черняев, Д.В. Шамшур. ЖЭТФ, 120, 1 (2001)
- Ю.Л. Иванов, Н.В. Агринская, П.В. Петров, В.М. Устинов, Г.Э. Цырлин. ФТП, 36, 993 (2002)
- S. Huant, S.P. Najda, B. Etienne. Phys. Rev. Lett., 65, 1486 (1990)
- D. Larsen. Phys. Rev. B, 47, 16 333 (1993)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
