ФТП, 2003, том 37, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрофизические свойства InAs, облученного протонами

В.Н.Брудный , Н.Г.Колин *, А.И.Потапов

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова,
634050 Томск, Россия
* Государственный научно-исследовательский центр института физической химии им. Л.Я. Карпова,
Обнинское отделение,
249033 Обнинск, Россия

(Получена 5 августа 2002 г. Принята к печати 6 сентября 2002 г.)

Представлены результаты исследования электрофизических свойств InAs, облученного ионами H+ (E=5 МэВ, D=2· 1016 см-2). Показано, что независимо от уровня легирования и типа проводимости исходного материала после облучения InAs всегда приобретает n+-тип проводимости (n~(2-3)·1018 см-3). Обсуждается явление закрепления уровня Ферми в облученном материале. Исследована термическая стабильность радиационных нарушений в InAs при температурах последующего отжига до 800oC.

 PDF версия (289Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster