ФТП, 2003, том 37, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Кинетика роста поверхностных аморфных слоев при облучении кремния легкими ионами низких энергий

А.И.Титов , А.Ю.Азаров, В.С.Беляков

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 15 июля 2002 г. Принята к печати 22 июля 2002 г.)

С помощью метода, основанного на измерении анизотропии неупругого рассеяния электронов, исследовалось накопление структурного разупорядочения в монокристаллах Si, облучаемых ионами Ne+ с энергией 10 кэВ. Показано, что накопление разупорядочения происходит как нарастание аморфного слоя от границы между естественным окислом и кристаллическим Si. Установлено, что скорость роста аморфного слоя не зависит от плотности тока ионов и что существует пороговая доза накопления. Результаты объясняются с помощью модели, основанной на диффузии генерируемых подвижных точечных дефектов к поверхности с последующей их сегрегацией и на предположении о наличии в исходных монокристаллах насыщаемых стоков. Проведенные по этой модели численные расчеты показали хорошее согласие с экспериментальными результатами, полученными как в данной работе, так и другими авторами.

 PDF версия (145Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster