Предложен и экспериментально продемонстрирован новый спектрально-корреляционный метод исследования полупроводниковых структур, предполагающий использование планарно-неоднородных слоев. Посредством фотолюминесцентной спектроскопии при 77 K исследован образец, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии и содержащий Al$$_xGa$$_1-xAs$-$GaAs и GaAs$-$In$$_yGa$$_1-yAs квантовые ямы и модуляционно-легированный Al$$_xGa$$_1-xAs$-$GaAs гетеропереход. Полученные зависимости спектров фотолюминесценции от параметров неоднородности позволили характеризовать процессы перераспределения носителей в структуре и обнаружить ряд особенностей фотолюминесценции узких GaAs-квантовых ям. Экспериментальные значения энергии оптических переходов согласуются с теоретическими оценками во всем диапазоне вариации параметров, определяемом неоднородностью, и могут служить основой для оценки параметров полупроводниковой структуры. Исследование показало высокую информативность примененного подхода благодаря возможности прецизионной вариации технологически формируемых параметров структуры в пределах одного образца.