ФТП, 2002, том 36, выпуск 1ФТП, 2002, том 36, выпуск 1| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Обзоры | |
| Равич Ю.И., Немов С.А. Прыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в PbTe и твердых растворах на его основе | 3 |
|---|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Александров О.В. Влияние эффекта экранирования на пассивацию дырочного кремния водородом | 24 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Богобоящий В.В. Особенности прыжковой проводимости кристаллов -HgCdTe при двойном легировании | 29 |
| Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Скипетрова Л.А., Волкова О.С., Слынько Е.И. О стабилизации уровня Ферми в сплавах на основе теллурида свинца, легированных галлием | 37 |
| Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков Е.И., Форш П.А. Влияние уровня легирования на фотопроводимость пленок микрокристаллического гидрированного кремния | 41 |
| Давыдов С.Ю. Оценки параметров нитридов элементов третьей группы: BN, AlN, GaN и InN | 45 |
| Несмелова И.М., Барышев Н.С., Андреев В.А. Поглощение света на переходах между подзонами легких и тяжелых дырок в -MnHgTe | 49 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Кузьменко Р.В., Ганжа А.В., Домашевская Э.П. Комбинированная методика исследования многокомпонентных спектров фотоотражения полупроводников | 52 |
| Седова И.В., Львова Т.В., Улин В.П., Сорокин С.В., Анкудинов А.В., Берковиц В.Л., Иванов С.В., Копьев П.С. Сульфидные пассивирующие покрытия поверхности GaAs(100) в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии AB/GaAs | 59 |
| Антонова И.В., Стано Й., Николаев Д.В., Наумова О.В., Попов В.П., Скуратов В.А. Трансформация при отжиге в водороде состояний на границах раздела структур кремний-на-изоляторе | 65 |
| Низкоразмерные системы | |
| Шелых И.А., Баграев Н.Т., Иванов В.К., Клячкин Л.Е. Спонтанная спиновая поляризация электронов в квантовых проволоках | 70 |
| Евтихиев В.П., Константинов О.В., Матвеенцев А.В., Романов А.Е. Излучение света полупроводниковой структурой с квантовой ямой и массивом квантовых точек | 79 |
| Шамирзаев Т.С., Соколов А.Л., Журавлев К.С., Kobitski A.Yu., Wagner H.P., Zahn D.R.T. Изменение концентрации центров безызлучательной рекомбинации в структурах GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами при обработке в плазме CF | 87 |
| Берашевич Ю.А., Данилюк А.Л., Холод А.Н., Борисенко В.Е. Зарядовые эффекты, контролирующие токовый гистерезис и отрицательное дифференциальное сопротивление в периодических наноразмерных структурах Si/CaF | 91 |
| Averkiev N.S., Golub L.E., Willander M. Spin relaxation in asymmetrical heterostructures | 97 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Гаврилов С.А., Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. Механизм кислородной пассивации пористого кремния в растворах HF : HCl : CHOH | 104 |
| Ефремов М.Д., Болотов В.В., Володин В.А., Кочубей С.А., Кретинин А.В. Образование нанокристаллов кремния с выделенной ориентацией (110) в аморфных пленках Si : H на стеклянных подложках при наносекундных воздействиях ультрафиолетового излучения | 109 |
| Иванов-Омский В.И., Таглиаферро А., Фанчини Г., Ястребов С.Г. Плотность состояний аморфного углерода и ее модификация отжигом | 117 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Пожела Ю., Пожела К., Шиленас А., Ясутис В., Дапкус Л., Киндурис А., Юцене В. Варизонный детектор ионизирующего излучения | 124 |