Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оценки параметров нитридов элементов третьей группы: BN, AlN, GaN и InN
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 14 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.
Простыми методами, использующими как квантово-механический, так и полуэмпирический подходы, сделаны оценки диэлектрических, оптических, электрооптических, магнитных, упругих, фотоупругих, пьезоэлектрических и фононных характеристик кристаллов XN (X = B, Al, Ga, In). Определены значения деформационных потенциалов и магнитных восприимчивостей. Результаты расчетов сопоставлены с имеющимися экспериментальными данными и расчетами других авторов.
- Proc. 7th Int. Conf. Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials (Stockholm, 1997), ed. by G. Pensl, H. Morkoc, B. Monemar and E. Janzen (Trans. Tech., Switzerland, 1998)
- У.А. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1
- W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 27, 3532 (1983)
- С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТТ, 37, 3044 (1995)
- С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП, 31, 823 (1997)
- С.Ю. Давыдов, А.В. Соломонов. Письма ЖТФ, 25, 23 (1999)
- С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП, 30, 968 (1996)
- С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП, 30, 834 (1996)
- С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП, 30, 1137 (1996)
- С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП, 30, 695 (1996)
- Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
- Landolt-Bornstein. New Series, Group III (Berlin, Springer, 1982) v. 17a
- J.A. Sanjurijo, E. Lopez-Cruz, P. Vogl, M. Cardona. Phys. Rev. B, 28, 9237 (1983)
- K. Karch, J.-M. Wagner, H. Siegle, C. Thomsen, F. Bechstedt. Proc. 7th Int. Conf. Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials (Stockholm, 1997), ed. by G. Pensl, H. Morkoc, B. Monemar and E. Janzen (Trans. Tech., Switzerland, 1998) p. 303
- С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП, 30, 1300 (1996)
- A. Polian, M. Grimsditch, I. Grzegory. J. Appl. Phys., 79, 3343 (1996)
- А.В. Добрынин, И.П. Казаков, Г.А. Найда. Зарубежн. электрон. техн., 4, 44 (1989)
- K. Miwa, A. Fukumoto. Phys. Rev. B, 48, 7897 (1993)
- A.F. Wright. J. Appl. Phys., 82, 2833 (1997)
- V.W. Chen, T.L. Tansley, T. Osotchan. J. Appl. Phys., 75, 7365 (1994)
- T. Kamiya. J. Appl. Phys., 35, 4421 (1996)
- K. Osamura, S. Naka, Y. Murakami. J. Appl. Phys., 46, 3432 (1975)
- I. Gorczyca, N.E. Christensen, E.L. Peltzer y Blanca, C.O. Rodriguez. Phys. Rev. B, 51, 11 936 (1995)
- H. Sterner, A. Schevwiola, K. Karch, P. Pavone, D. Strauch, H. Siegle, G. Kaczmarczyk, L. Filippidis, C. Thomsen. Proc. 7th Int. Conf. Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials (Stockholm, 1997), ed. by G. Pensl, H. Morkoc, B. Monemar and E. Janzen (Trans. Tech., Switzerland, 1998) p. 264
- V.Yu. Davydov, Yu.E. Kitaev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, D. Uffmann, M.B. Smirnov, A.P. Mirgorodsky, R.A. Evarestov. Phys. Rev. B, 58, 12 899 (1998)
- K. Karch, J.-M. Wagner, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 57, 7043 (1998).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
