Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зарядовые эффекты, контролирующие токовый гистерезис и отрицательное дифференциальное сопротивление в периодических наноразмерных структурах Si/CaF2
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь 
Поступила в редакцию: 16 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.
Предложена кинетическая модель переноса носителей заряда в периодических наноразмерных структурах Si/CaF2 по локализованным состояниям в диэлектрике. Показано, что возникновение встроенного электрического поля в диэлектрике в результате поляризации захваченного локализованными центрами заряда и последующий разряд этих центров объясняют гистерезис вольт-амперных характеристик при смене полярности приложенного внешнего напряжения и приводят к появлению участка отрицательного дифференциального сопротивления на этих характеристиках. Наиболее значимым фактором в появлении отрицательного дифференциального сопротивления в исследуемых структурах является плотность носителей заряда на контактах и величина зарядового напряжения. При температуре ниже 250 K участок отрицательного дифференциального сопротивления исчезает. Показано, что при экспериментальной регистрации вольт-амперных характеристик эффект от заряда-разряда локализованных центров должен уменьшаться при увеличении временного интервала измерения тока при постоянном напряжении и увеличении шага изменения приложенного напряжения и практически исчезает при 20 с и 0.6 В соответственно.
- L.L. Chang, P.J. Stiles, L. Esaki. J. Appl. Phys., 38, 4440 (1967)
- L. Esaki. Phys. Rev., 109, 63 (1958)
- S. Menard, A.N. Kholod, M. Liniger, F. Bassani, V.E. Borisenko, F. Arnaud d'Avitaya. Phys. St. Sol. (a), 181, 424 (2000)
- S. Menard, M. Liniger, F. Bassani, F. Arnaud d'Avitaya, A.N. Kholod. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, ed. by V.E. Borisenko et al. (World Scientific, Singapore, 1999) p. 365
- Ю.А. Берашевич, А.Л. Данилюк, А.Н. Холод, В.Е. Борисенко. ФТП, 35 (1), 110 (2001)
- E.H. Nicollian. J. Vac. Sci. Technol., 14, 1112 (1977)
- V. Ioannou-Sougleridis, T. Ouisse, A.G. Nassiopoulou, F. Bassani, F. Arnaud d'Avitaya. J. Appl. Phys., 89 (1), 610 (2001)
- M.T. Cuberes, A. Bauer, H.J. Wen, M. Prietsch, G. Kaindl. J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 2646 (1994)
- V. Ioannou-Sougleridis, T. Tsakiri, A.G. Nassiopoulou, F. Bassani, S. Menard, F. Arnaud d'Avitaya. European Projects: Silicon Modules for Integrated Light Engineering (Marseille, France, 2000) p. 133
- В.Я. Кирпиченков. ЖЭТФ, 113, 1522 (1998)
- К. Као, В. Хуанг. Перенос электронов в твердых телах (М., Мир, 1984) т. 1, с. 350. [Пер. с англ.: K.C. Kao, W. Hwang. Electrical transport in solids (Oxford--N. Y.--To-ronto--Sydney--Paris--Frankfurt, Pergamon Press) v. 1]
- J.M. Shannon, B.A. Morgan. J. Appl. Phys., 86, 1548 (1999)
- C. Svensson, I. Lundstrom. J. Appl. Phys., 44, 4657 (1973)
- В.Е. Борисенко, А.Л. Данилюк, А.Н. Холод. Микроэлектроника, 27, 170 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
