"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Адмиттанс кольцевых диодных структур с квантовыми ямами InGaAs/InAlAs/InP
Тихов С.В.1, Байдусь Н.В.2, Бирюков А.А.2, Дегтярев В.Е.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

Исследован адмиттанс кольцевых планарных диодных гетеронаноструктур Au/InGaAs/InP и Au/InGaAs/ InAlAs на i-InP. Структуры состоят из delta-слоя кремния и квантовой ямы InGaAs в эпитаксиальных слоях InP или InAlAs. Из анализа вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик определены профили распределения концентрации и подвижности электронов в окрестности квантовой ямы и delta-слоя. Показано, что понижение температуры приводит к увеличению концентрации электронов и подвижности электронов в квантовой яме.
  • Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский и др. ФТП, 46, (4), 500 (2012)
  • И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев и др. ФТП, 45, 9, 1214 (2011)
  • C.В. Тихов, Н.В. Байдусь и др. Тез. докл. ХV Междунар. симп. Нанофизика и нанофотоника" (2011) т. 2, с 399
  • В.И. Зубков. ФТП, 40, (10), 1236 (2006)
  • В.В. Русаков, Г.Н. Травлеев . Микроэлектроника, 8, (2), 177 (1979)
  • В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука, Сиб. отд-ние, 1984) с. 252
  • В.И. Зубков. Приложение к журналу "Вестник РГРТУ", N 4, ISSN 1995-4565 (Рязань 2009)
  • Г.И. Пека. Физика поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка, 1967) с. 192
  • B. Das Mukuda, Kim Bonggi. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-29, N 2, 205 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.