"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Светоизлучающие диоды с ферромагнитным инжектирующим слоем на основе гетероструктур GaMnSb/InGaAs/ GaAs
Дорохин М.В.1, Малышева Е.И.1, Здоровейщев А.В.1, Данилов Ю.А.1, Кудрин А.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

Сформирована и исследована диодная структура с p-n-переходом и InGaAs/GaAs-квантовой ямой в области пространственного заряда, содержащая ферромагнитный слой GaMnSb в качестве полупроводника p-типа. Показана возможность получения эффективной электролюминесценции исследованных структур. Обнаружено, что эффективность электролюминесценции зависит от условий формирования ферромагнитного слоя GaMnSb: содержания Mn и толщины слоя. Рассмотрены возможные механизмы электролюминесценции исследованных диодов. Получена циркулярная поляризация электролюминесценции указанных структур, значение степени поляризации (0.012 в магнитном поле 0.37 Тл) практически не изменяется в диапазоне температур 10-50 K. Циркулярная поляризация излучения обусловлена инжекцией в квантовую яму спин-поляризованных дырок из ферромагнитного слоя GaMnSb.
  • I. v Zutic, J. Fabian, S. Das Sarma. Rev. Mod. Phys., 76, 323 (2004)
  • Concepts in Spin Electronics, ed. by S. Maekawa (N.Y., Oxford University Press, 2006)
  • G. Schmidt. J. Phys. D: Appl. Phys., 38, R107 (2005)
  • M. Holub, P. Bhattacharya. J. Phys. D: Appl. Phys., 40, R179 (2007)
  • D.K. Young, J.A. Gupta, E. Johnston-Halperin, R. Epstein, Y. Kato, D.D. Awschalom. Semicond. Sci. Technol., 17, 275 (2002)
  • M. Ramsteiner, H.Y. Hao, A. Kawaharazuka, H.J. Zhu, M. Kastner, R. Hey, L. Daweritz, H.T. Grahn, K.H. Ploog. Phys. Rev. B, 66, 081 304R (2002)
  • D.K. Young, E. Johnston-Halperin, D.D. Awschalom, Y. Ohno, H. Ohno. Appl. Phys. Lett., 80, 1598 (2002)
  • Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Опт. журн., 75 (6), 56 (2008)
  • Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, А.В. Кудрин, О.В. Вихрова, С.М. Планкина, В.С. Дунаев, А.В. Нежданов, Ю.Н. Дроздов, М.В. Сапожников. Изв. РАН. Сер. Физ., 76 (2), 199 (2012)
  • В.И. Стриха, Е.В. Бузанева, И.А. Радзиевский. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (физика, технология, применение) (М., Сов. радио, 1974)
  • S.-Y. Lin, C.-C. Tseng, W.-H. Lin, S.-C. Mai, S.-Y. Wu, S.-H. Chen, J.-I. Chyi. Appl. Phys. Lett., 96, 123 503 (2010)
  • H.-W. Hsieh, S.-T. Yena. J. Appl. Phys., 105, 103 515 (2009)
  • Y. Wang, P. Ruterana, L. Desplanque, S. El Kazzi, X. Wallart. J. Appl. Phys., 109, 023 509 (2011)
  • Н.Б. Звонков, Б.Н. Звонков, А.В. Ершов, Е.А. Ускова, Г.А. Максимов. Квант. электрон., 25 (7), 622 (1998)
  • R. Fiederlihg, P. Grabs, W. Ossau, G. Schmidt, L.W. Molenkamp. Appl. Phys. Lett., 82 (13), 2160 (2003)
  • Z.G. Yu, W.H. Lau, M.E. Flatte. Preprint Cond. mat., 0 308 220 (2003)
  • Оптическая ориентация, под ред. Б.П. Захарчени, Ф. Майера (Л., Наука, 1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.