"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Светоизлучающие диоды с ферромагнитным инжектирующим слоем на основе гетероструктур GaMnSb/InGaAs/ GaAs
Дорохин М.В.1, Малышева Е.И.1, Здоровейщев А.В.1, Данилов Ю.А.1, Кудрин А.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

Сформирована и исследована диодная структура с p-n-переходом и InGaAs/GaAs-квантовой ямой в области пространственного заряда, содержащая ферромагнитный слой GaMnSb в качестве полупроводника p-типа. Показана возможность получения эффективной электролюминесценции исследованных структур. Обнаружено, что эффективность электролюминесценции зависит от условий формирования ферромагнитного слоя GaMnSb: содержания Mn и толщины слоя. Рассмотрены возможные механизмы электролюминесценции исследованных диодов. Получена циркулярная поляризация электролюминесценции указанных структур, значение степени поляризации (0.012 в магнитном поле 0.37 Тл) практически не изменяется в диапазоне температур 10-50 K. Циркулярная поляризация излучения обусловлена инжекцией в квантовую яму спин-поляризованных дырок из ферромагнитного слоя GaMnSb.
  1. I. v Zutic, J. Fabian, S. Das Sarma. Rev. Mod. Phys., 76, 323 (2004)
  2. Concepts in Spin Electronics, ed. by S. Maekawa (N.Y., Oxford University Press, 2006)
  3. G. Schmidt. J. Phys. D: Appl. Phys., 38, R107 (2005)
  4. M. Holub, P. Bhattacharya. J. Phys. D: Appl. Phys., 40, R179 (2007)
  5. D.K. Young, J.A. Gupta, E. Johnston-Halperin, R. Epstein, Y. Kato, D.D. Awschalom. Semicond. Sci. Technol., 17, 275 (2002)
  6. M. Ramsteiner, H.Y. Hao, A. Kawaharazuka, H.J. Zhu, M. Kastner, R. Hey, L. Daweritz, H.T. Grahn, K.H. Ploog. Phys. Rev. B, 66, 081 304R (2002)
  7. D.K. Young, E. Johnston-Halperin, D.D. Awschalom, Y. Ohno, H. Ohno. Appl. Phys. Lett., 80, 1598 (2002)
  8. Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Опт. журн., 75 (6), 56 (2008)
  9. Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, А.В. Кудрин, О.В. Вихрова, С.М. Планкина, В.С. Дунаев, А.В. Нежданов, Ю.Н. Дроздов, М.В. Сапожников. Изв. РАН. Сер. Физ., 76 (2), 199 (2012)
  10. В.И. Стриха, Е.В. Бузанева, И.А. Радзиевский. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (физика, технология, применение) (М., Сов. радио, 1974)
  11. S.-Y. Lin, C.-C. Tseng, W.-H. Lin, S.-C. Mai, S.-Y. Wu, S.-H. Chen, J.-I. Chyi. Appl. Phys. Lett., 96, 123 503 (2010)
  12. H.-W. Hsieh, S.-T. Yena. J. Appl. Phys., 105, 103 515 (2009)
  13. Y. Wang, P. Ruterana, L. Desplanque, S. El Kazzi, X. Wallart. J. Appl. Phys., 109, 023 509 (2011)
  14. Н.Б. Звонков, Б.Н. Звонков, А.В. Ершов, Е.А. Ускова, Г.А. Максимов. Квант. электрон., 25 (7), 622 (1998)
  15. R. Fiederlihg, P. Grabs, W. Ossau, G. Schmidt, L.W. Molenkamp. Appl. Phys. Lett., 82 (13), 2160 (2003)
  16. Z.G. Yu, W.H. Lau, M.E. Flatte. Preprint Cond. mat., 0 308 220 (2003)
  17. Оптическая ориентация, под ред. Б.П. Захарчени, Ф. Майера (Л., Наука, 1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.